tension de seuil à l’état passant
- tension de seuil à l’état passant
- пороговое напряжение тиристора
пороговое напряжение тиристора
Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения.
Обозначение
Uпор
UT(OT)
[ГОСТ 20332-84]
Тематики
- полупроводниковые приборы
EN
- on-state threshold voltage
FR
- tension de seuil à l’état passant
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии.
academic.ru.
2015.
Смотреть что такое "tension de seuil à l’état passant" в других словарях:
État communiste — Carte montrant les actuels pays communistes : la Chine, Cuba, le Laos, la Corée du Nord et le Viêt Nam … Wikipédia en Français
ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20332 84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 110. Время включения тиристора E. Turn on time F. Temps d’amorcage tувкл, tвкл Интервал времени, в течение которого тиристор… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пороговое напряжение — 2.57 пороговое напряжение (voltage threshold): Уровень напряжения, установленный на электронном компараторе, выше которого будут распознаны сигналы. Примечание Пороговое напряжение может быть регулируемым пользователем, фиксированным или… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пороговое напряжение тиристора — Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения. Обозначение Uпор UT(OT) [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN on state… … Справочник технического переводчика
Пороговое напряжение тиристора — 17. Пороговое напряжение тиристора E. On state threshold voltage F. Tension de seuil à l’état passant Uпор Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
IGBT — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
